一種三維功率VDMOS器件及其集成方法(預披露)
一種三維功率VDMOS器件及其集成方法
一、成果基本信息
成果基本信息 | 成果名稱 | 一種三維功率VDMOS器件及其集成方法 |
成果所屬單位 | 貴州大學 | |
成果所屬領(lǐng)域 | 先進制造與自動化 | |
成果關(guān)鍵詞 | 三維集成 ；功率器件 ； 集成方法 | |
成果所屬學科 | 集成電路技術(shù) | |
交易方式 | 面議 |
二、成果簡介
本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)的VDMOS器件采用平面集成工藝存在的器件面積隨著電流容量增大而增大，嚴重影響功率系統(tǒng)的集成度，同時信號延遲時間及互連線功耗比重也將越來越大等技術(shù)問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是設(shè)計一種三維功率VDMOS器件及其集成方法，它包括功率單元和芯片層，所述芯片層有二個以上，每個芯片層上均勻分布有二個以上的功率單元，每個功率單元外圍設(shè)置有獨立的終端，每個功率單元外圍設(shè)置有層間導電互連的TSV通孔，各個芯片層堆疊在一起形成三維功率VDMOS器件。所述功率單元外圍設(shè)置有散熱的TSV通孔。每個芯片層之間有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層為二氧化硅。各個芯片層間的空隙處有填充膠。所述的各個功率單元外圍都設(shè)置有獨立的終端，所述終端為場限環(huán)結(jié)構(gòu)。TSV通孔上方設(shè)有凸點。所述三維功率VDMOS器件采用雙層金屬布線結(jié)構(gòu)。
特別聲明
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項目聯(lián)系人 ：趙經(jīng)理
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